作为光刻工艺的核心技术手段
，，曝光方式决定着器件图案形成的质量，，，通常可根据曝光时掩模版与基底间的相对关系进行区分；此外还有利用聚焦电子束直接进行介质层扫描绘制的电子束曝光、、、利用软X射线透过较薄掩模版进行投影的X射线曝光、、利用Ga⁺聚焦离子束直接写入或掩膜投影的离子束曝光等不同的曝光技术路线。
。。。

       接触式曝光 (Contact Printing)

       通过掩膜版与基底光刻胶涂层直接接触，，，，由紫外光（UV）作为光源，，，
，具有较大的图形复制面积、、
、较高的复印精度和相对简单的设备操作方法，，通常适合早期半导体
、、、、分立器件生产、、
、、LED等领域的微米级小批量生产或实验场景。。。

       且由于掩模版直接贴合基底或介质层，，，易导致接触面涂层污染或磨损，
，，，影响掩模版寿命
，，，，介质层与掩模版间存在细微的间隙，，
，
，对成品精准度的提高也受到较多限制
。。
。

       接近式曝光 (Proximity Printing)

       在掩膜版与器件或介质层间维持一个月约10-50μm的微小间隙，，，内有氮气填充，，紫外光源通过其间隙衍射曝光，，由于取缔了直接接触掩模版的方案，，，，污染和磨损的可能得以降低，
，但受限于光的衍射效应
，
，分辨率一般在1-3μm的水平，
，，，也可通过减小波长
、、、、缩小间隙距离获得一定程度提高，，对比接触式曝光仍有一定提升，，
，，但光纤衍射会导致光斑扩散，，因而不适合更精细的纳米级图形，，更适合中小规模集成电路制造，，以及部分先进封装工艺等。。。。

       投影式曝光 (Projection Lithography)

       以透镜、、、反射镜构成光学系统，，，，并将掩模版上的图形缩小一定比例后
，，
，以投射、、、反射的过程投影到晶圆表面
，，，成品率较高
，，减少多重曝光带来的套刻误差，，，分辨率取决于光源波长和物镜数值孔径（NA），，精准度空限制亦到较为前沿的水平
。。。

       但由于设备复杂
、、光学系统容易污染、、、、技术难度高等短板，
，，
，往往更适合高精度半导体元器件，，，如逻辑芯片
、、
、、存储芯片等智造，，，1:1全反射扫描曝光
、
、
、x:1分步重复曝光等都是非常核心的技术。。

       曝光和显影，
，，，是图形转移工艺中相辅相成的两个环节
，，将经由掩膜版曝光而得到的图形形成于基底表面，，显影工艺，，即促使不同酸碱性的显影液与光刻胶膜层发生反应，
，是促成半导体器件设计图案转为实体构型的关键；但需要注意，，，完成曝光后的显影环节并非真正完成设计版图的图形化，
，，，而只是将Mask
，
，，，即光罩转移到了光刻胶上
，，对后续进一步的材料刻蚀工艺起到铺垫作用。。

       沉浸式显影（Immersion Development）

       将基底完全浸入盛有显影液的槽中，，
，通过机械搅拌或鼓泡促进与光刻胶反应，，适合批量处理多片晶圆，，
，，但伴随着显影液浓度、、温度等条件变化难以精确控制
，，可能产生边缘显影过度或不足的问题。。

       喷淋式显影（Spray Development）

       显影液以高压雾状或柱状喷射到旋转的晶圆表面，，
，均匀覆盖并与光刻胶反应，，，显影液流量、、、、晶圆转速皆可精确控制
，，显影均匀性可达到±1-3%，，同时避免交叉污染，，，但成本较高，，显影液消耗量较大。。

       旋涂显影（Spin Development）

       将显影液滴加到静止的晶圆表面，，，，随后利用转速形成离心力使显影液均匀铺展并与光刻胶反应，，
，显影液用量极少，，，，旋涂效果较好，
，但较依赖旋转参数，，
，对操作精度要求高。。
。

       显影工艺的完成质量，，受到多种条件的影响，，，显影液浓度不合理将导致实际线宽参数出现偏差，
，，，显影时间过长容易造成胶膜脱落，，，显影温度则涉及显影的实际速率，，，需精确控制
。。光刻胶的性能也一定程度上影响着器件的制程、、、、精度和可靠性
，，，如更高的灵敏度将有效降低曝光能耗和成本；曝光与未曝光区域在显影后的溶解速率差异即对比度，
，
，
，将影响图形边缘的锐度，，，
，有助于控制形成合理的斜面、、、、突起
、、、台阶结构
；不同的抗蚀性将影响器件或介质层对蚀刻气体或溶液的耐受能力。。