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激光隐形切割

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AG尊龙配备硅晶圆激光隐切机、、玻璃晶圆激光隐切机等，，通过发射超短脉冲激光在基底内部形成微缺陷、、可断离薄层，，，实现对硅、、、玻璃、、、蓝宝石、、、、键合片、、、、SOI等材料晶圆的高质量、、、高效率切割加工，，具有非接触、、、、无杂尘、、、高精度、、、高坯料利用率等特点，，，，广泛应用于具有敏感结构的精密MEMS晶圆切割。。
参数基底尺寸：8英寸以内
产品参数
基底尺寸：8英寸以内
刻蚀速率：100~1000nm/min
气体流量(氟化氢)：0~500 SCCM
气体流量(无水乙醇)：0~250 SCCM
气体流量(氮气)：0~2000 SCCM
刻蚀均匀性：刻蚀均匀性：<±2%
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详细信息

  • 器件封装前道工艺

    AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、、机械化学抛光（CMP）、、、器件切割（砂轮划切、、激光全切、、、激光隐切）等组合工艺，，基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案，，，，助力MEMS封装前道工序。。。


激光隐形切割

基底尺寸：8英寸以内


刻蚀速率：100~1000nm/min

气体流量：0~500 SCCM(氟化氢)

                    0~250 SCCM(无水乙醇)

                    0~2000 SCCM(氮气)

刻蚀均匀性：<±2%



  • 激光隐形切割

    硅晶圆激光隐切机、、玻璃晶圆激光隐切机等采用红外皮秒脉冲激光器，，，通过发射超短脉冲激光在基底内部形成微缺陷、、可断离薄层，，，，实现对硅、、、玻璃、、、、蓝宝石、、键合片、、SOI等材料晶圆的高质量、、、高效率切割加工，，具有非接触、、无杂尘、、、高精度、、、高坯料利用率等特点，，，广泛应用于具有敏感结构的精密MEMS晶圆切割。。

激光隐形切割
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激光隐形切割
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基底尺寸：8英寸以内
刻蚀速率：100~1000nm/min
气体流量(氟化氢)：0~500 SCCM
气体流量(无水乙醇)：0~250 SCCM
气体流量(氮气)：0~2000 SCCM
刻蚀均匀性：刻蚀均匀性：<±2%
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  • 器件封装前道工艺

    AG尊龙MEMS微纳加工平台提供晶圆级键合、、机械化学抛光（CMP）、、、、器件切割（砂轮划切、、激光全切、、、激光隐切）等组合工艺，，，，基于百级/万级净化间的定制选材与处理方案，，，助力MEMS封装前道工序。。


激光隐形切割

基底尺寸：8英寸以内


刻蚀速率：100~1000nm/min

气体流量：0~500 SCCM(氟化氢)

                    0~250 SCCM(无水乙醇)

                    0~2000 SCCM(氮气)

刻蚀均匀性：<±2%



  • 激光隐形切割

    硅晶圆激光隐切机、、、、玻璃晶圆激光隐切机等采用红外皮秒脉冲激光器，，，通过发射超短脉冲激光在基底内部形成微缺陷、、、、可断离薄层，，实现对硅、、、、玻璃、、、蓝宝石、、、、键合片、、SOI等材料晶圆的高质量、、、高效率切割加工，，具有非接触、、、、无杂尘、、高精度、、、高坯料利用率等特点，，广泛应用于具有敏感结构的精密MEMS晶圆切割。。。

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