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浏览器自带分享功能也很好用哦~使用真空管式炉，，，通过干/湿氧化、、真空/氮气退火等方案加热器件，，，可作用于制备致密沉积的薄膜、、、、改变薄膜生长状态、、、、修复晶格损伤等。。。。
详细信息
使用真空管式炉，，，通过干/湿氧化、、、真空/氮气退火等方案加热器件，，，，可作用于制备致密沉积的薄膜、、、改变薄膜生长状态、、、修复晶格损伤等。。。
热处理（氧化、、、、退火） | |
基底尺寸：8/6/4英寸 | 加工容量：50片(厚度≤2mm) |
真空度：5.0×10-4Pa | 反应温度：400℃~1150℃ |
恒温区控温精度：±1℃ | |
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使用真空管式炉，，，通过干/湿氧化、、、真空/氮气退火等方案加热器件，，可作用于制备致密沉积的薄膜、、、改变薄膜生长状态、、、修复晶格损伤等。。。。
热处理（氧化、、、、退火） | |
基底尺寸：8/6/4英寸 | 加工容量：50片(厚度≤2mm) |
真空度：5.0×10-4Pa | 反应温度：400℃~1150℃ |
恒温区控温精度：±1℃ | |
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