薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、滤光、、、电学等特性设计需要,,结合基底清洁、、、活化、、气相沉积、、、、热处理等加工方案,,,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,,,制备具有增透、、、、带通、、、截止、、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。
原子层沉积 | |
基底尺寸:8英寸以内靶材:Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等 | |
反应温度:高温内腔≤500°C,,低温内腔≤300°C | |
膜厚均匀性:<±1%(Al2O3),,,<±3%(SiO2),,,<±3%(TiO2) |
纳米级、、、、高包裹性薄膜制备
基于自限制性的前驱体交替饱和反应,,,,制备的薄膜厚度、、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控,,具有高致密性、、、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。
薄膜制备工艺
AG尊龙MEMS微纳加工平台可根据客户器件对膜层材料的反射、、、、分束、、滤光、、电学等特性设计需要,,,结合基底清洁、、活化、、、、气相沉积、、、热处理等加工方案,,,提供物理气相沉积(电子束蒸镀/磁控溅射)、、原子层沉积(ALD)等组合工艺,,制备具有增透、、、带通、、、截止、、、反射等不同特点的光学膜系和电学器件结构。。。
原子层沉积 | |
基底尺寸:8英寸以内靶材:Al2O3、、、、TiO2、、、SiO2等 | |
反应温度:高温内腔≤500°C,,低温内腔≤300°C | |
膜厚均匀性:<±1%(Al2O3),,,<±3%(SiO2),,<±3%(TiO2) |
纳米级、、、、高包裹性薄膜制备
基于自限制性的前驱体交替饱和反应,,制备的薄膜厚度、、、形貌及结构可达到纳米尺度上高度可控,,,具有高致密性、、高保形性、、大面积均匀性等优异性能。。。。